Táthú Píob Ard-Minicíocht Stát Soladach SiC-MOSFET

De réir mar a tháinig feabhas ar an teicneolaíocht, le déanaí don welder ardmhinicíochta stát soladach glacann ábhar leathsheoltóra tríú glúin ar a dtugtar SiC-MOSFET.

Na Ábhair Leathsheoltóra Tríú Glúin Tréithe Feidhmíochta SiC-MOSFET

1. High temperature and high pressure resistance: SiC has a wide band gap about 3 times that of Si, so it can realize power devices that can operate stably even under high temperature conditions. The insulation breakdown field strength of SiC is 10 times that of Si, so it is possible to fabricate high-voltage power devices with a higher doping concentration and a thinner film thickness drift layer compared to Si devices.

2. Miniaturization gléas agus meáchan éadrom: Tá seoltacht teirmeach níos airde agus dlús cumhachta ag feistí chomhdhúile sileacain, ar féidir leo an córas diomailt teasa a shimpliú, ionas go mbainfear amach miniaturization gléas agus meáchan éadrom.

3. Low loss and high frequency: The working frequency of silicon carbide devices can reach 10 times that of silicon-based devices, and the efficiency does not decrease with the increase of working frequency, which can reduce the energy loss by nearly 50%; At the same time, due to the increase of frequency, the volume of peripheral components such as inductance and transformers is reduced, and the volume and other components cost after the composition of the system are reduced.

Buntáistí Táthaire Píobáin Ard-Minicíochta Ard-Minicíocht Staidéir Soladach SiC-MOSFET

Caillteanas 1.60% níos ísle ná feistí Si-MOSFET, méadaíonn éifeachtacht inverter welder níos mó ná 10%, méaduithe éifeachtacht táthú níos mó ná 5%.

Tá dlús cumhachta 2.Single SiC-MOSFET mór, laghdaítear an méid cóimeáilte dá réir, rud a laghdaíonn go díreach pointí locht agus radaíocht leictreamaighnéadach seachtrach, agus a fheabhsaíonn iontaofacht an aonaid chumhachta inverter.

Seasann 3.SiC-MOSFET voltas níos airde ná an bunaidh Si-MOSFET, tá an voltas rátáil welder DC méadaithe dá réir sin faoin mbonn a bhaineann le sábháilteacht a chinntiú (280VDC le haghaidh welder athshondach comhthreomhar agus 500VDC le haghaidh welder athshondach sraith).Fachtóir cumhachta ar thaobh na greille ≥ 0.94 .

4.Nua SiC-MOSFET caillteanas gléas ach 40% de Si-MOSFET, faoi choinníollacha fuaraithe áirithe, is féidir minicíocht a athrú a bheith níos airde, sraith athshondach Si-MOSFET welder glacann teicneolaíocht dúbailt minicíochta, glacann SiC-MOSFET is féidir a dhearadh agus a mhonarú go díreach suas go dtí welder ardmhinicíochta 600KHz.

5.Méaduithe ar an voltas DC welder SiC-MOSFET nua, fachtóir cumhachta taobh greille ard, AC reatha beag, armónach reatha beag, laghdaítear costas soláthair agus dáileadh cumhachta an chustaiméara go mór, agus feabhsaítear éifeachtacht an tsoláthair chumhachta go héifeachtach.